H5AN4G6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix e H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,60 $6,45
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) —
Package Code TFBGA —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Recursos Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Density — 16 Gb (2 GB)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fichas técnicas e recursos

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