H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-VKC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $12,96 $6,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Datenrate 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Schnittstelle Parallel DDR4 (double data rate, synchronous)
Technology CMOS —
Betriebstemperatur -40C to +95C [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
Gehäuse FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
RoHS-Status Compliant —
Packaging Tray —
Memory Density — 4 Gbit
Speicherorganisation — 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Package Code — TFBGA
Number of Terminals — 96
Eigenschaften — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade — OTHER (per distributor listing)

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