H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $12,96 $6,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Taxa de dados 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Interface Parallel DDR4 (double data rate, synchronous)
Technology CMOS —
Temperatura de operação -40C to +95C [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
Encapsulamento FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
Status RoHS Compliant —
Packaging Tray —
Memory Density — 4 Gbit
Organização da memória — 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Package Code — TFBGA
Number of Terminals — 96
Recursos — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade — OTHER (per distributor listing)

Fichas técnicas e recursos

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