H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,40 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Datenrate 2666 Mbps (DDR4-2666) 2400 Mbps (PC2400)
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 (7.5 x 11 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Compliant (Rohs Code: Yes)
Packaging Tray —
Lebenszyklusstatus Active —
Density — 4 Gbit
Speicherorganisation — 512M x 8
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC)
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.

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