H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHCR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHCR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-UHCR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,98 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Datenrate 2666 Mbps —
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V (VDD)
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Gehäuse FBGA-78 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Speed Grade V (2666) UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Schnittstelle — DDR4 SSTL12
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel

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