H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHCR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,98 | $3,18 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Speed Grade | V (2666) | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Interfaz | — | DDR4 SSTL12 |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |