H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NCJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $3,30
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 16 —
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Schnittstellentyp DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Gehäuse TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Speichergröße — 8 Gbit
Datenrate — [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Schnittstelle — Parallel, synchronous to both clock edges
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)

Datenblätter & Ressourcen

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