H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NCJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $3,30
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Type d'interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Boîtier TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Taille de mémoire — 8 Gbit
Débit de données — [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface — Parallel, synchronous to both clock edges
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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