H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NCJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NCJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,25 $3,30
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 —
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Speichergröße — 8 Gbit
Datenrate — [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Schnittstelle — Parallel, synchronous to both clock edges
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)

Datenblätter & Ressourcen

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