H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NCJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.25 | $3.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| 데이터 속도 | — | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |