H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR von SK hynix und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR H5AN8G6NAFR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $5,74
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Datenrate 2400 MT/s 2400 MT/s
Gehäuse 96-ball FBGA FBGA-96
Betriebstemperatur 0°C to +85°C 0°C to +85°C
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Datenblätter & Ressourcen

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