H5AN8G6NAFR vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR por SK hynix e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR H5AN8G6NAFR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $5,74
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Taxa de dados 2400 MT/s 2400 MT/s
Encapsulamento 96-ball FBGA FBGA-96
Temperatura de operação 0°C to +85°C 0°C to +85°C
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fichas técnicas e recursos

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