H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $5,74
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Gehäuse FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Montageart Surface Mount (BGA) —
Betriebstemperatur 0C to +95C 0°C to +85°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Datenrate — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliant — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Datenblätter & Ressourcen

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