H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $5.74
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
공급 전압 1.2 V 1.2 V
패키지 FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
실장 유형 Surface Mount (BGA) —
동작 온도 0C to +95C 0°C to +85°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
데이터 속도 — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
RoHS Compliant — Yes
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

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