H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $3,30
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 —
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-96 (96-ball) FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to +95C 0C to +95C
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] Compliant
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Speichergröße — 8 Gbit
Datenrate — [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Schnittstelle — Parallel, synchronous to both clock edges
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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