H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $3,30
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Boîtier FBGA-96 (96-ball) FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to +95C 0C to +95C
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] Compliant
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Taille de mémoire — 8 Gbit
Débit de données — [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface — Parallel, synchronous to both clock edges
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes

Fiches techniques et ressources

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