H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR von SK hynix und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NDJR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $35,00 | $5,74 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS-Latenz | 22 cycles (at 3200 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +85°C |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Refresh | — | Auto self-refresh |