H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $5,74 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +85°C |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Refresh | — | Auto self-refresh |