H5AN8G8NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,20 $3,55
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Speicherorganisation 1G x 8 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 TFBGA-96 (rectangular)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] —
Schnittstelle DDR4 (double data rate, synchronized to clock) —
Address Inputs A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) —
Connectivity Test Mode TEN (optional input on x4/x8, required on x16) —
Process Technology CMOS —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Datasheet Revision Rev. 1.2 / July 2017 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Schnittstellentyp — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Composition — CMOS

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