H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NAFR-UHI von SK hynix und H5AN8G8NAFR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,10 $2,95
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8 (x8)
Datenrate DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC-class) DDR4 (Double Data Rate 4)
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology CMOS —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gbit
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

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