H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-RDC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-UHI от SK hynix и H5AN8G8NAFR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-RDC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,10 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Организация памяти 1G x 8 1G x 8 (x8)
Скорость передачи данных DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 (JEDEC-class) DDR4 (Double Data Rate 4)
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Без галогенов Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Technology CMOS —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gbit
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену