H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-UHCR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G8NAFR-UHCR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-UHCR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,15 $2,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Schnittstelle SSTL12 CMOS, synchronous DDR4
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
Gehäuse 78-ball FBGA FBGA-78 (PBGA78)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
Datenrate — 2400 Mbps/pin (PC2400)
Packing Suffix — R = Tape & Reel
Speed Grade Code — -UH
Generation Family — H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4)
Application Class — Main memory / high bandwidth
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh specification]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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