H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $15,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16Gb (2GB)
Speicherorganisation 1G x 16 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C (family grade reference)
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Schnittstellentyp Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lebenszyklusstatus Active production —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Datenrate — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Versorgungsspannung — 1.2 V (DDR4 standard)
Schnittstelle — DDR4, SSTL-12
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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