H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NBJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,50 $15,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16Gb (2GB)
Organización de memoria 1G x 16 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C (family grade reference)
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Tipo de interfaz Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Estado del ciclo de vida Active production —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Velocidad de datos — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Tensión de alimentación — 1.2 V (DDR4 standard)
Interfaz — DDR4, SSTL-12
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

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