H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-RDC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,60 $15,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 16Gb x16 —
Density 16 Gb —
Datenrate 2666 Mbps (speed grade -RDC) 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Schnittstelle Synchronous, double data rate DDR4, SSTL-12
Clocking Fully synchronous to both clock edges —
Gehäuse FBGA (Ball Grid Array), surface mount FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Application Main memory —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +95C (family grade reference)
On-Die Termination (ODT) Supported (DDR4 feature) —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
Speicherorganisation — [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Versorgungsspannung — 1.2 V (DDR4 standard)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern