H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NCJR-XNC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NCJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Aktiv
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NCJR-XNC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,09 $84,97
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Schnittstelle DDR4 (CMOS) Parallel
Gehäuse PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
Betriebstemperatur -40C to +95C —
Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Supported Yes
Write Leveling Supported Yes
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
RoHS-Status RoHS Compliant Compliant
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
Speichergröße — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Datenrate — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Montageart — Surface Mount
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
CRC Function — Yes
Packaging — Tray

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