H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5ANAG6NBJR-UHC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,09 | $84,97 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Interface | DDR4 (CMOS) | Parallel |
| Encapsulamento | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Write Leveling | Supported | Yes |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| Status RoHS | RoHS Compliant | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| Tamanho da memória | — | 16 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Taxa de dados | — | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |