H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCJR-XNC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCJR-XN von SK hynix und H5ANAG6NCJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCJR-XNC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $71,20 $84,97
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (1G x 16) —
Speicherorganisation 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Gehäuse FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Package Width 8 mm —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes Yes
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] —
Speichergröße — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Schnittstelle — Parallel
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Packaging — Tray

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