H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix e H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $71,20 $84,97
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (1G x 16) —
Organização da memória 1G x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Encapsulamento FBGA-96 (96-ball) FBGA-96
Package Width 8 mm —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes Yes
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
Status RoHS Compliant Compliant
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] —
Tamanho da memória — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Interface — Parallel
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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