H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCJR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NCJR-XN von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $84,97 | $71,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | FBGA-96 (96-ball) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |