H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XN Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $84,97 | $71,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-96 (96-ball) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| Organización de memoria | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |