H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NCR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCMR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NCR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,40 $72,10
Speichertyp DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb 16 Gb (2 GB)
Memory Organization 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps/pin 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Technology CMOS —
Power Class Normal Power —
Schnittstelle Parallel —
Speed Grade XN (3200) —
Gehäuse FBGA-96 96-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Product Status Active —
RoHS-Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speicherorganisation — 1G x 16
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Datenblätter & Ressourcen

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