H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCR-VKC von SK hynix und H5ANAG6NCR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $72,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 1G x 16
Schnittstelle DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Datenrate [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Gehäuse 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Speichergröße — 16 Gb (2 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern