H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $72,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
Organización de memoria 2G x 8 1G x 16
Interfaz DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Encapsulado 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Tamaño de memoria — 16 Gb (2 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

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