H5ANAG8NCMR-VKI vs H5ANAG8NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCMR-VKI von SK hynix und H5ANAG8NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCMR-VKI H5ANAG8NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $2,15
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Datenrate 2666 Mbps per pin DDR4-2400 (2400 MT/s)
Technology CMOS, volatile DRAM —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD] —
Package Type [DATA_NEEDED: package] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh (tREFI) [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
Product Status Active —
Clocking Differential clock (CK / CK#), fully synchronous —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
Speicherorganisation — 2G x 8
Versorgungsspannung — 1.2 V
Gehäuse — FBGA-78
Schnittstelle — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern