H5ANAG8NCMR-VKI vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKI par SK hynix et H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-VKI H5ANAG8NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $2,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Débit de données 2666 Mbps per pin DDR4-2400 (2400 MT/s)
Technology CMOS, volatile DRAM —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD] —
Package Type [DATA_NEEDED: package] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh (tREFI) [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
Product Status Active —
Clocking Differential clock (CK / CK#), fully synchronous —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Tension d'alimentation — 1.2 V
Boîtier — FBGA-78
Interface — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

Fiches techniques et ressources

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