H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63AFR-PBR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix und H5TC4G63AFR-PBR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $5,91
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Datenrate DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 (BL8) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
CAS-Latenz Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C —
Gehäuse 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA (PBGA96)
Montageart Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
RoHS-Status Compliant —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
Betriebstemperatur — 0C to +95C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes

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