H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63AFR-PBR 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix 및 H5TC4G63AFR-PBR 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBR
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 Obsolete 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $5.91
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
데이터 속도 DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
공급 전압 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 (BL8) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
CAS 레이턴시 Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C —
패키지 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball FBGA (PBGA96)
실장 유형 Surface Mount —
Number of Terminals 96 —
RoHS 상태 Compliant —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
동작 온도 — 0C to +95C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes

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