H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16HA-125 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63AFR-PBI MT41K256M16HA-125
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $6,36
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Speicherorganisation 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
Datenrate DDR3-1600 (PC3L-12800) —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
CAS-Latenz Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C —
Gehäuse 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-FBGA (9x14 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Datenbusbreite — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Anzahl der Pins — 96
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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