H5TC4G63AFR-PBI vs MT41K256M16HA-125 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63AFR-PBI MT41K256M16HA-125
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $6,36
Type de mémoire DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
Débit de données DDR3-1600 (PC3L-12800) —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35 V
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
Latence CAS Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C —
Boîtier 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-FBGA (9x14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Largeur du bus de données — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Nombre de broches — 96
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis