H5TC4G63CFR-H9J vs MT41K256M16HA-125 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-H9J von SK hynix und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-H9J MT41K256M16HA-125
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,00 $6,36
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
Gehäuse 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Datenbusbreite — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Versorgungsspannung — 1.35 V
Anzahl der Pins — 96
Montageart — Surface Mount
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS-Latenz — 11

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