H5TC4G63CFR-H9J vs MT41K256M16HA-125 Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-H9J por SK hynix y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63CFR-H9J MT41K256M16HA-125
Marca SK hynix Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,00 $6,36
Tipo de memoria DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organización de memoria 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) —
Encapsulado 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Tamaño de memoria — 4Gbit (256M x 16)
Ancho del bus de datos — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Tensión de alimentación — 1.35 V
Número de pines — 96
Tipo de montaje — Surface Mount
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
Latencia CAS — 11

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización