H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63MFR-PBA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-PBA von SK hynix und H5TC4G63MFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,23 $6,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V 1.35V (+0.100V/-0.067V)
Gehäuse 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant —
Halogenfrei Yes —
Lead-Free Yes —
Datenrate — 1866 Mbps (PC3L-14900)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern