H5TC4G63CFR-PBL vs MT41K256M16HA-125 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-PBL von SK hynix und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-PBL MT41K256M16HA-125
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $6,36
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4 Gb (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35 V
Datenrate 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Gehäuse 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 —
CAS-Latenz 11, 12, 13 11
Number of Banks 8 —
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes —
Datenbusbreite — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Anzahl der Pins — 96
Montageart — Surface Mount
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Datenblätter & Ressourcen

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