H5TC4G63CFR-PBL vs MT41K256M16HA-125 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-PBL 제조: SK hynix 및 MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-PBL MT41K256M16HA-125
브랜드 SK hynix Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $6.36
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
메모리 크기 4 Gb (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
공급 전압 1.35 V 1.35 V
데이터 속도 1600 Mbps (PC3L-12800) —
패키지 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 —
CAS 레이턴시 11, 12, 13 11
Number of Banks 8 —
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes —
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
핀 수 — 96
실장 유형 — Surface Mount
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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