H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16HA-107:E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TQ4G63AFR-H9C von SK hynix und MT41K256M16HA-107:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16HA-107:E
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $5,00
Speichertyp DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.5 V 1.35V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
Gehäuse 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant —
Halogenfrei Yes —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Datenrate 3.9 Gbps per pin (approx) 1866 MT/s
Ball Pitch 0.8 mm —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Betriebstemperatur — 0°C to 95°C (Tc)
Schnittstelle — Parallel
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Anzahl der Pins — 96
CAS-Latenz — 13 (typical)

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