H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16HA-107:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TQ4G63AFR-H9C par SK hynix et MT41K256M16HA-107:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16HA-107:E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $5,00
Type de mémoire DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.5 V 1.35V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
Boîtier 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant —
Sans halogène Yes —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Débit de données 3.9 Gbps per pin (approx) 1866 MT/s
Ball Pitch 0.8 mm —
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Température de fonctionnement — 0°C to 95°C (Tc)
Interface — Parallel
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nombre de broches — 96
Latence CAS — 13 (typical)

Fiches techniques et ressources

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