IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC100N04S6L020ATMA1 von Infineon und IAUC90N10S5N062ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,95
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) —
Gehäuse PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern