IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon y IAUC90N10S5N062ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,95
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) —
Encapsulado PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)
Lead-Free — Yes

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