IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC100N08S5N043ATMA1 von Infineon und IAUC100N04S6N015ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Aktiv
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IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series IAUC / OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 100 A (package limited) —
Continuous Drain Current (chip-limited) 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W —
Maximum R<sub>DS(on)</sub> 4.3 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 125 W (T<sub>C</sub>) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55 C to +175 C (junction, typical)
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS 5 (Trench) N-Channel Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
Product Family — OptiMOS-6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) — 100 A
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) — 100 W
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
MSL-Level — 1 (unlimited floor life)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

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